Erfahren Sie in dem englischsprachigen Webinar am 2. Februar, ab 10 Uhr die neuesten Informationen zu den Hochspannungs-IGBT-Modulen von Hitachi Energy

  • Neue HV-IGBT-Chipsätze setzen neue Meilensteine bei Stromdichte und Robustheit


  • Die RC-IGBT-Technologie bietet eine erhebliche Steigerung der Leistung und des Diodenkurzschlusses


  • Weiterentwicklung der Gehäuse nutzt die neuesten Chips optimal aus


  • LinPak ist die erste Modulplattform, die für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet ist, sowohl mit Si IGBT als auch mit SiC MOSFET

Erfahren Sie am 13. Oktober welche Vorteile das neue RoadPak Modul von Hitachi Energy bietet.

  • Ideales Modul für die E-Mobilität
     
  • Geringe Streuinduktivität
     
  • Höchste Zuverlässigkeit mit außergewöhnlichen
    Power-Cycle-Ergebnissen

     
  • Höchste Verfügbarkeit

HITACHI ENERGY POWER GRIDS Ltd., ZÜRICH, SCHWEIZ

In den über 25 Jahren unserer Zusammenarbeit haben wir von GVA viele Produktgenerationen unseres Herstellerpartners kennen gelernt, getestet, in unseren eigenen Entwicklungen eingesetzt und empfohlen. Hitachi Energy bietet eines der vielfältigsten Halbleiterangebote am Markt, darunter Thyristoren, Dioden, GTOs, IGCTs und IGBTs, die in den Werken in Lenzburg (Schweiz) und Prag (Tschechische Republik) hergestellt werden. Das weltweit führende Technologieunternehmen mit einer 250-jährigen Geschichte beschäftigt rund 36.000 Mitarbeiter in 90 Ländern.

 

Hochspannungs-IGBT

Hochspannungs-IGBTs von Hitachi eignen sich für eine große Bandbreite an Einsatzszenarien. Beispielsweise für Umrichter in Eisenbahnanwendungen, wo einige führende Hersteller sie bereits seit 1992 einsetzen. Mit den SiC LinPak konnte Hitachi sowohl die Leistung wie die Flexibilität abermals steigern.

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